電阻法大尺寸SiC晶體生長設(shè)備
UK-T6
UK-T8
6吋電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備UK-T6
1、完美解決了感應(yīng)爐徑向溫度梯度大的技術(shù)難點(diǎn)，可實現(xiàn)徑向溫度梯度小和軸向溫度梯度可控，晶體內(nèi)部缺陷少， 良率高、重復(fù)性好；2、與傳統(tǒng)工藝長達(dá)7-14天的晶體生長周期相比，UKING ERH SiC RV4.0設(shè)備晶體生長速度更快，整個過程可控制在7天之內(nèi)；3、 自動化程度高，操控簡單，有利于批量生產(chǎn)，提高晶體生長效率和穩(wěn)定性。
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8吋電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備UK-T8
1、完美解決了感應(yīng)爐徑向溫度梯度大的技術(shù)難點(diǎn)，可實現(xiàn)徑向溫度梯度小和軸向溫度梯度可控，晶體內(nèi)部缺陷少， 良率高、重復(fù)性好；2、與傳統(tǒng)工藝長達(dá)7-14天的晶體生長周期相比，UKING ERH SiC RV1.0設(shè)備晶體生長速度更快，整個過程可控制在7天之內(nèi)；3、 自動化程度高，操控簡單，有利于批量生產(chǎn)，提高晶體生長效率和穩(wěn)定性。
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溫度梯度控制優(yōu)勢
優(yōu)晶科技憑借多年的工藝技術(shù)經(jīng)驗，精準(zhǔn)控制熱場溫度，確保晶體在生長過程中獲得最佳溫度梯度，提高了晶體的生長效率，還顯著降低了生產(chǎn)成本。 -
籽晶粘接優(yōu)勢
公司獨(dú)特的籽晶處理技術(shù)，減少了籽晶裝配過程中人為因素對粘接的影響，提高粘接的成功率，解決了晶體生長過程中籽晶燒穿等問題。 -
綜合成本優(yōu)勢
公司研發(fā)的電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備配合晶體生長工藝，在確保品質(zhì)的前提下，原材料利用率高，提升晶體厚度。
優(yōu)晶的解決方案
UKING SOLUTIONS
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發(fā)熱部件
石墨加熱器
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熱場結(jié)構(gòu)
PVT石墨熱場
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溫度梯度
容易調(diào)節(jié)
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晶體生長界面
接近平面
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晶體利用率
高
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晶體應(yīng)力
應(yīng)力較低
易加工
提高下游制程良率 -
6-8寸晶體生長
兼容
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單位晶片成本
低
電阻法大尺寸SiC晶體生長設(shè)備產(chǎn)品
6吋碳化硅晶體
8吋碳化硅晶體
6吋碳化硅晶體
碳化硅作為全球先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿電場強(qiáng)、高飽和電子漂移速度和高鍵合能等特性，碳化硅功率器件在耐高壓、高頻、高溫以及大功率應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。
8吋碳化硅晶體
碳化硅作為全球先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿電場強(qiáng)、高飽和電子漂移速度和高鍵合能等特性，碳化硅功率器件在耐高壓、高頻、高溫以及大功率應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。
碳化硅晶體生長過程
碳化硅晶體材料是種由碳和硅元素組成的寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，其生產(chǎn)條件需要在2250°C以上的高溫和接近真空的低壓環(huán)境下，使固態(tài)原料升華，并在高溫和濃度梯度的作用下，持續(xù)將碳、硅原子傳輸至位于石墨坩堝頂端的籽晶附近，進(jìn)行晶體生長。
1.
碳化硅顆粒
Si+C=SiC
在晶體生長過程中，碳化硅（SiC）原料的粒度和純度都會直接影響晶體質(zhì)量。
2.
籽晶處理
獨(dú)特的籽晶粘接技術(shù)
為籽晶粘接是晶體生長過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。為了獲得高品質(zhì)的晶體，公司采用獨(dú)特籽晶處理工藝，滿足高質(zhì)量晶體生長要求。
3.
Uking電阻法
SiC晶體生長技術(shù)
在晶體生長過程中，通過精準(zhǔn)控制熱場溫度和氣氛來保證晶體生長的可靠性和穩(wěn)定性。
碳化硅晶體檢測報告
采用UKING電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備生長的SiC晶體，其微管密度、位錯密度和電阻率等指標(biāo)均達(dá)到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
新能源汽車
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充電樁
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光伏發(fā)電
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特高壓
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風(fēng)力發(fā)電
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軌道交通
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