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1、完美解決了感應爐徑向溫度梯度大的技術(shù)難點，可實現(xiàn)徑向溫度梯度小和軸向溫度梯度可控，晶體內(nèi)部缺陷少， 良率高、重復性好；

2、與傳統(tǒng)工藝長達7-14天的晶體生長周期相比，UKING ERH SiC RV1.0設備晶體生長速度更快，整個過程可控制在7天之內(nèi)；

3、 自動化程度高，操控簡單，有利于批量生產(chǎn)，提高晶體生長效率和穩(wěn)定性。